AFT20S015GNR1 Альтернативные части: MRF6S27015GNR1 ,MW6S010GNR1

AFT20S015GNR1NXP USA Inc.

  • AFT20S015GNR1NXP USA Inc.
  • MRF6S27015GNR1NXP USA Inc.
  • MW6S010GNR1NXP USA Inc.

В наличии: 5735

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1,275.534615 ₽

    1,275.55 ₽

  • 10

    1,203.334547 ₽

    12,033.38 ₽

  • 100

    1,135.221264 ₽

    113,522.12 ₽

  • 500

    1,070.963462 ₽

    535,481.73 ₽

  • 1000

    1,010.342885 ₽

    1,010,342.86 ₽

Цена за единицу: 1,275.534615 ₽

Итоговая цена: 1,275.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Срок поставки от производителя
10 Weeks
-
10 Weeks
Корпус / Кейс
TO-270BA
TO-270BA
TO-270BA
Поверхностный монтаж
YES
-
YES
Рабочая температура (макс.)
125°C
-
225°C
Номинальное напряжение
65V
68V
68V
Уровень применения
Automotive grade
-
Military grade
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2007
2009
Код JESD-609
e3
e3
e3
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
3 (168 Hours)
3 (168 Hours)
3 (168 Hours)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.29.00.40
-
8541.29.00.75
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Частота
2.17GHz
2.6GHz
960MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Конфигурация
Single
-
SINGLE
Ток - испытание
132mA
160mA
125mA
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
-
N-CHANNEL
Тип транзистора
LDMOS
LDMOS
LDMOS
Увеличение
17.6dB
14dB
18dB
Выводная мощность
1.5W
3W
10W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание
28V
28V
28V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Код соответствия REACH
-
not_compliant
not_compliant
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Количество выводов
-
-
2
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING
Основной номер части
-
-
MW6S010
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G2
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Режим работы
-
-
ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка
-
-
SOURCE
Применение транзистора
-
-
AMPLIFIER
Минимальная напряжённость разрушения
-
-
68V
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
-
61.4W