AFT20S015GNR1 Альтернативные части: MRF9060NR1

AFT20S015GNR1NXP USA Inc.

  • AFT20S015GNR1NXP USA Inc.
  • MRF9060NR1NXP USA Inc.

В наличии: 5735

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1,275.534615 ₽

    1,275.55 ₽

  • 10

    1,203.334547 ₽

    12,033.38 ₽

  • 100

    1,135.221264 ₽

    113,522.12 ₽

  • 500

    1,070.963462 ₽

    535,481.73 ₽

  • 1000

    1,010.342885 ₽

    1,010,342.86 ₽

Цена за единицу: 1,275.534615 ₽

Итоговая цена: 1,275.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
Transistors RF MOSFET Power 60W 1GHZ FET TO-270
Срок поставки от производителя
10 Weeks
-
Корпус / Кейс
TO-270BA
TO-270AA
Поверхностный монтаж
YES
YES
Рабочая температура (макс.)
125°C
-
Номинальное напряжение
65V
65V
Уровень применения
Automotive grade
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2005
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
3 (168 Hours)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.29.00.40
8541.29.00.75
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
2.17GHz
945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Конфигурация
Single
SINGLE
Ток - испытание
132mA
450mA
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Тип транзистора
LDMOS
LDMOS
Увеличение
17.6dB
18dB
Выводная мощность
1.5W
60W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание
28V
26V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
1
Количество выводов
-
2
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
FLAT
Код соответствия REACH
-
unknown
Основной номер части
-
MRF9060
Код JESD-30
-
R-PDFM-F2
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка
-
SOURCE
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
Минимальная напряжённость разрушения
-
65V