2SC4215-Y(TE85L,F) Альтернативные части: BC848BW-7-F ,2DD2656-7

2SC4215-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 70

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.835027 ₽
31.87 ₽
10
30.033049 ₽
300.27 ₽
100
28.333063 ₽
2,833.24 ₽
500
26.729299 ₽
13,364.70 ₽
1000
25.216319 ₽
25,216.35 ₽

Цена за единицу: 31.835027 ₽

Итоговая цена: 31.87 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC4215-Y(TE85L,F)	иBC848BW-7-F	и2DD2656-7
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	TRANS NPN 30V 1A SOT-323
Срок поставки от производителя	16 Weeks	15 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Silver, Tin	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	40	200	270
Рабочая температура	125°C TJ	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2007	2008
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	100mW	200mW	300mW
Частота	550MHz	300MHz	270MHz
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	100mW	200mW	500mW
Продуктивность полосы частот	550MHz	300MHz	270MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	20mA	100mA	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 6V	200 @ 2mA 5V	270 @ 100mA 2V
Увеличение	17dB ~ 23dB	-	-
Частота перехода	260MHz	300MHz	270MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	-	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4V	5V	6V
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)	2dB ~ 5dB @ 100MHz	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	3
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Число контактов	-	3	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	20nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	600mV @ 5mA, 100mA	350mV @ 25mA, 500mA
Высота	-	1mm	1mm
Длина	-	2.2mm	2.15mm
Ширина	-	1.35mm	1.3mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Завершение	-	-	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Основной номер части	-	-	2DD2656
Мощность - Макс	-	-	300mW

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMSTA14-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Для сравнения
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения
DTC115EUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения