Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC4215-Y(TE85L,F) Альтернативные части: BC848BW-7-F
2SC4215-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 70
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
31.835027 ₽
31.87 ₽
10
30.033049 ₽
300.27 ₽
100
28.333063 ₽
2,833.24 ₽
500
26.729299 ₽
13,364.70 ₽
1000
25.216319 ₽
25,216.35 ₽
Цена за единицу: 31.835027 ₽
Итоговая цена: 31.87 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Silver, Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | 200 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2007 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW |
Частота | 550MHz | 300MHz |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 100mW | 200mW |
Продуктивность полосы частот | 550MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 20mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 6V | 200 @ 2mA 5V |
Увеличение | 17dB ~ 23dB | - |
Частота перехода | 260MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 5V |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 2dB ~ 5dB @ 100MHz | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 600mV @ 5mA, 100mA |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2.2mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMSTA14-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3 | Для сравнения |
| BC848BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Для сравнения |
| 2DD2656-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 30V 1A SOT-323 | Для сравнения |
 | DTC115EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |