Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC4215-Y(TE85L,F) Альтернативные части: 2DD2656-7 ,DTC115EUAT106
2SC4215-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 70
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
31.835027 ₽
31.87 ₽
10
30.033049 ₽
300.27 ₽
100
28.333063 ₽
2,833.24 ₽
500
26.729299 ₽
13,364.70 ₽
1000
25.216319 ₽
25,216.35 ₽
Цена за единицу: 31.835027 ₽
Итоговая цена: 31.87 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R | TRANS NPN 30V 1A SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 12 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Silver, Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | 270 | 82 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2008 | 2006 |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 300mW | 200mW |
Частота | 550MHz | 270MHz | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 100mW | 500mW | - |
Продуктивность полосы частот | 550MHz | 270MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 20mA | 1A | 20mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 6V | 270 @ 100mA 2V | 82 @ 5mA 5V |
Увеличение | 17dB ~ 23dB | - | - |
Частота перехода | 260MHz | 270MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 30V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 6V | - |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 2dB ~ 5dB @ 100MHz | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 6.010099mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 10 |
Основной номер части | - | 2DD2656 | DTC115 |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Мощность - Макс | - | 300mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 350mV @ 25mA, 500mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Высота | - | 1mm | - |
Длина | - | 2.15mm | - |
Ширина | - | 1.3mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 50V |
Моментальный ток | - | - | 20mA |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Направленность | - | - | NPN |
Частота - Переход | - | - | 250MHz |
База (R1) | - | - | 100 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | - | 100 k Ω |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMSTA14-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3 | Для сравнения |
| BC848BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Для сравнения |
| 2DD2656-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 30V 1A SOT-323 | Для сравнения |
 | DTC115EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |