2SC3838KT146N Альтернативные части: DTC124XUAT106

2SC3838KT146NROHM Semiconductor

  • 2SC3838KT146NROHM Semiconductor
  • DTC124XUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.587500 ₽

    10.58 ₽

  • 10

    9.988214 ₽

    99.86 ₽

  • 100

    9.422843 ₽

    942.31 ₽

  • 500

    8.889464 ₽

    4,444.78 ₽

  • 1000

    8.386291 ₽

    8,386.26 ₽

Цена за единицу: 10.587500 ₽

Итоговая цена: 10.58 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 11V 0.05A SOT-346
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
11V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
56
68
Рабочая температура
150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2006
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
11V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
50mA
50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SC3838
DTC124
Число контактов
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
3.2 GHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
11V
300mV
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
56 @ 5mA 10V
68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
3200MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
11V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
-
Прямоходящий ток коллектора
50mA
50mA
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
-
Частотная полоса наивысшего режима
S B
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
1.5pF
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение
No
No
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Максимальный выходной ток
-
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
Направленность
-
NPN
Распад мощности
-
200mW
Частота - Переход
-
250MHz
База (R1)
-
22 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47 k Ω