2SC3838KT146N Альтернативные части: 2SC4082T106P

2SC3838KT146NROHM Semiconductor

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.587500 ₽
10.58 ₽
10
9.988214 ₽
99.86 ₽
100
9.422843 ₽
942.31 ₽
500
8.889464 ₽
4,444.78 ₽
1000
8.386291 ₽
8,386.26 ₽

Цена за единицу: 10.587500 ₽

Итоговая цена: 10.58 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC3838KT146N	и2SC4082T106P
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 11V 0.05A SOT-346	TRANS NPN 20V 0.05A SOT-323
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Silver, Tin	Copper, Silver, Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	11V	20V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	56	56
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2010	2007
Код JESD-609	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	11V	18V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	50mA	50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10
Основной номер части	2SC3838	2SC4082
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	3.2 GHz	1.5 GHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	11V	20V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	56 @ 5mA 10V	82 @ 10mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 10mA	500mV @ 4mA, 20mA
Частота перехода	3200MHz	1500MHz
Максимальное напряжение разрушения	11V	20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	20V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3V	3V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	50mA
Максимальное напряжение на выходе	0.5 V	-
Частотная полоса наивысшего режима	S B	VERY HIGH FREQUENCY B
Сопротивление базы-эмиттора макс	1.5pF	1.5pF
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение	No	No
REACH SVHC	No SVHC	-
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Распад мощности	-	200mW
Максимальная частота	-	1.5GHz
Высота	-	800μm
Длина	-	2mm
Ширина	-	1.25mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC124XUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения
2SC4082T106P	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 20V 0.05A SOT-323	Для сравнения
DSC5A01R0L	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-85	Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm	Для сравнения
2SC4083T106N	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 11V 0.05A SOT-323	Для сравнения