2SC3265-Y,LF Альтернативные части: DSC2501T0L ,DSC2501R0L

2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • DSC2501T0LPanasonic Electronic Components
  • DSC2501R0LPanasonic Electronic Components

В наличии: 85

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.751786 ₽

    25.69 ₽

  • 10

    24.294135 ₽

    242.99 ₽

  • 100

    22.918997 ₽

    2,291.90 ₽

  • 500

    21.621690 ₽

    10,810.85 ₽

  • 1000

    20.397830 ₽

    20,397.80 ₽

Цена за единицу: 25.751786 ₽

Итоговая цена: 25.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 20V 500MA MINI3
Срок поставки от производителя
12 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
20V
20V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
40
200
200
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
-
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
-
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
-
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
-
Конфигурация
SINGLE
SINGLE
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
120MHz
-
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
20V
20V
Максимальный ток сбора
800mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
200 @ 500mA 2V
200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
120MHz
150MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
20V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
25V
25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
12V
12V
Прямоходящий ток коллектора
800mA
500mA
500mA
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Количество контактов
-
3
3
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Основной номер части
-
DSC2501
DSC2501
Мощность - Макс
-
200mW
-
Максимальная частота
-
150MHz
150MHz
Высота
-
1.1mm
1.1mm
Длина
-
2.9mm
2.9mm
Ширина
-
1.5mm
1.5mm
Конфигурация элемента
-
-
Single
Корпусировка на излучение
-
-
No