2SC3265-Y,LF Альтернативные части: FMMT449

2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • FMMT449ON Semiconductor

В наличии: 85

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.751786 ₽

    25.69 ₽

  • 10

    24.294135 ₽

    242.99 ₽

  • 100

    22.918997 ₽

    2,291.90 ₽

  • 500

    21.621690 ₽

    10,810.85 ₽

  • 1000

    20.397830 ₽

    20,397.80 ₽

Цена за единицу: 25.751786 ₽

Итоговая цена: 25.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R
Срок поставки от производителя
12 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
40
100
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2008
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
500mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Код соответствия REACH
unknown
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
Конфигурация
SINGLE
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
120MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
30V
Максимальный ток сбора
800mA
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
100 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
1V @ 200mA, 2A
Частота перехода
120MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
800mA
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
Количество контактов
-
3
Вес
-
30mg
Безоловая кодировка
-
yes
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
30V
Моментальный ток
-
1A
Частота
-
150MHz
Основной номер части
-
FMMT449
Конфигурация элемента
-
Single
Распад мощности
-
500mW
Высота
-
940μm
Длина
-
2.92mm
Ширина
-
1.4mm
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free