2SC3265-Y,LF Альтернативные части: DSC250100L ,DSC2501T0L

2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • DSC250100LPanasonic Electronic Components
  • DSC2501T0LPanasonic Electronic Components

В наличии: 85

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.751786 ₽

    25.69 ₽

  • 10

    24.294135 ₽

    242.99 ₽

  • 100

    22.918997 ₽

    2,291.90 ₽

  • 500

    21.621690 ₽

    10,810.85 ₽

  • 1000

    20.397830 ₽

    20,397.80 ₽

Цена за единицу: 25.751786 ₽

Итоговая цена: 25.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
TRANS NPN 20V 500MA MINI3
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor
Срок поставки от производителя
12 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
20V
20V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
40
200
200
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
-
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
unknown
unknown
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
-
Конфигурация
SINGLE
-
SINGLE
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
120MHz
150MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
20V
20V
Максимальный ток сбора
800mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
200 @ 500mA 2V
200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
120MHz
150MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
20V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
25V
25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
12V
12V
Прямоходящий ток коллектора
800mA
-
500mA
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Количество контактов
-
3
3
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Основной номер части
-
DSC2501
DSC2501
Конфигурация элемента
-
Single
-
Максимальная частота
-
150MHz
150MHz
Высота
-
1.1mm
1.1mm
Длина
-
2.9mm
2.9mm
Ширина
-
1.5mm
1.5mm
Мощность - Макс
-
-
200mW