2SC3265-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 85
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.751786 ₽
25.69 ₽
10
24.294135 ₽
242.99 ₽
100
22.918997 ₽
2,291.90 ₽
500
21.621690 ₽
10,810.85 ₽
1000
20.397830 ₽
20,397.80 ₽
Цена за единицу: 25.751786 ₽
Итоговая цена: 25.69 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI | TRANS NPN 20V 500MA MINI3 | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 20V | 20V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | 200 | 200 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | - | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | unknown | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | - | - |
Конфигурация | SINGLE | - | SINGLE |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 120MHz | 150MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 400mV | 20V | 20V |
Максимальный ток сбора | 800mA | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 160 @ 100mA 1V | 200 @ 500mA 2V | 200 @ 500mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA | 400mV @ 20mA, 500mA | 400mV @ 20mA, 500mA |
Частота перехода | 120MHz | 150MHz | 150MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 25V | 20V | 20V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 25V | 25V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 12V | 12V |
Прямоходящий ток коллектора | 800mA | - | 500mA |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Основной номер части | - | DSC2501 | DSC2501 |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Максимальная частота | - | 150MHz | 150MHz |
Высота | - | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | - | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | - | 1.5mm | 1.5mm |
Мощность - Макс | - | - | 200mW |