2SC2713-GR,LF Альтернативные части: 2SA1163-BL,LF ,2SA1163-GR,LF

2SC2713-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 25499

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.026813 ₽
23.08 ₽
10
21.723393 ₽
217.17 ₽
100
20.493764 ₽
2,049.31 ₽
500
19.333791 ₽
9,666.90 ₽
1000
18.239341 ₽
18,239.29 ₽

Цена за единицу: 23.026813 ₽

Итоговая цена: 23.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC2713-GR,LF	и2SA1163-BL,LF	и2SA1163-GR,LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Диэлектрический пробой напряжение	120V	120V	120V
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Мощность - Макс	150mW	150mW	150mW
Тип транзистора	NPN	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 6V	350 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	120V	120V	120V
Частота - Переход	100MHz	100MHz	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	120V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Количество контактов	-	3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Код соответствия REACH	-	unknown	unknown

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SA1514KT146S	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.05A SOT-346	Для сравнения
2SA1163-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	Для сравнения
2SA1163-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI	Для сравнения
2SC2713-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI	Для сравнения