Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC2713-GR,LF Альтернативные части: 2SA1514KT146S
2SC2713-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 25499
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.026813 ₽
23.08 ₽
10
21.723393 ₽
217.17 ₽
100
20.493764 ₽
2,049.31 ₽
500
19.333791 ₽
9,666.90 ₽
1000
18.239341 ₽
18,239.29 ₽
Цена за единицу: 23.026813 ₽
Итоговая цена: 23.08 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236 | TRANS PNP 120V 0.05A SOT-346 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 120V | 120V |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2001 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW |
Мощность - Макс | 150mW | 200mW |
Тип транзистора | NPN | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 500mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V | 180 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 500mV @ 1mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 120V | 120V |
Частота - Переход | 100MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 120V | -120V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Покрытие контактов | - | Copper, Silver, Tin |
Количество контактов | - | 3 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | - | 180 |
Код JESD-609 | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -120V |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | -50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | 2SA1514 |
Число контактов | - | 3 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | - | 140MHz |
Полярность/Тип канала | - | PNP |
Частота перехода | - | 140MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | -50mA |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.5 V |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1514KT146S | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 120V 0.05A SOT-346 | Для сравнения |
 | 2SA1163-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI | Для сравнения |
 | 2SA1163-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 120V 0.1A SMINI | Для сравнения |
| 2SC2713-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI | Для сравнения |