2SB1316TL Альтернативные части: 2SB1182TLQ ,MJD32C-13

2SB1316TLROHM Semiconductor

  • 2SB1316TLROHM Semiconductor
  • 2SB1182TLQROHM Semiconductor
  • MJD32C-13Diodes Incorporated

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    17.678571 ₽

    17.72 ₽

  • 10

    16.677898 ₽

    166.76 ₽

  • 100

    15.733860 ₽

    1,573.35 ₽

  • 500

    14.843269 ₽

    7,421.70 ₽

  • 1000

    14.003091 ₽

    14,003.02 ₽

Цена за единицу: 17.678571 ₽

Итоговая цена: 17.72 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
TRANS PNP 32V 2A SOT-428
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
Срок поставки от производителя
20 Weeks
-
21 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
100V
32V
100V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
1000
82
10
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
1998
2012
Код JESD-609
e2
e2
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
2
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR
-
-
Код ТН ВЭД
8541.29.00.75
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-100V
-32V
-
Максимальная потеря мощности
10W
10W
1.56W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
-2A
-2A
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
40
Основной номер части
2SB1316
2SB1182
-
Число контактов
3
3
4
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Направленность
PNP
-
-
Напряжение
100V
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Текущий
2A
-
-
Распад мощности
1W
1W
-
Сокетная связка
COLLECTOR
-
COLLECTOR
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
50MHz
100MHz
3MHz
Тип транзистора
PNP - Darlington
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
800mV
100V
Максимальный ток сбора
2A
2A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
1000 @ 1A 2V
120 @ 500mA 3V
10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10μA ICBO
1μA ICBO
1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
800mV @ 200mA, 2A
1.2V @ 375mA, 3A
Частота перехода
50MHz
100MHz
3MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
32V
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
100V
-40V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
8V
-5V
6V
Прямоходящий ток коллектора
-2A
-2A
-
Высота
2.3mm
-
2.4mm
Длина
6.5mm
-
6.8mm
Ширина
5.5mm
-
6.2mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Мощность - Макс
-
10W
15W
Полярность/Тип канала
-
PNP
-
Тип
-
-
General Purpose