Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SB1316TL Альтернативные части: 2SB1182TLQ
2SB1316TLROHM Semiconductor
В наличии: 30000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
17.678571 ₽
17.72 ₽
10
16.677898 ₽
166.76 ₽
100
15.733860 ₽
1,573.35 ₽
500
14.843269 ₽
7,421.70 ₽
1000
14.003091 ₽
14,003.02 ₽
Цена за единицу: 17.678571 ₽
Итоговая цена: 17.72 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428 | TRANS PNP 32V 2A SOT-428 |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | - |
Покрытие контактов | Copper, Tin | Copper, Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 100V | 32V |
Количество элементов | 2 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 1000 | 82 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 1998 |
Код JESD-609 | e2 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn98Cu2) | Tin/Copper (Sn98Cu2) |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | - |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -100V | -32V |
Максимальная потеря мощности | 10W | 10W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | -2A | -2A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - |
Основной номер части | 2SB1316 | 2SB1182 |
Число контактов | 3 | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Направленность | PNP | - |
Напряжение | 100V | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Текущий | 2A | - |
Распад мощности | 1W | 1W |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 50MHz | 100MHz |
Тип транзистора | PNP - Darlington | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100V | 800mV |
Максимальный ток сбора | 2A | 2A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 1000 @ 1A 2V | 120 @ 500mA 3V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10μA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A | 800mV @ 200mA, 2A |
Частота перехода | 50MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | 32V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | -40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8V | -5V |
Прямоходящий ток коллектора | -2A | -2A |
Высота | 2.3mm | - |
Длина | 6.5mm | - |
Ширина | 5.5mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Мощность - Макс | - | 10W |
Полярность/Тип канала | - | PNP |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SB1183TL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428 | Для сравнения |
 | KSH127TM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans Darlington PNP 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Для сравнения |
| 2SB1182TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 32V 2A SOT-428 | Для сравнения |
 | MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | Для сравнения |