2SB1202T-TL-E Альтернативные части: MJD32C-13

2SB1202T-TL-EON Semiconductor

  • 2SB1202T-TL-EON Semiconductor
  • MJD32C-13Diodes Incorporated

В наличии: 2

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    99.782857 ₽

    99.73 ₽

  • 10

    94.134766 ₽

    941.35 ₽

  • 100

    88.806360 ₽

    8,880.63 ₽

  • 500

    83.779602 ₽

    41,889.84 ₽

  • 1000

    79.037335 ₽

    79,037.36 ₽

Цена за единицу: 99.782857 ₽

Итоговая цена: 99.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
Срок поставки от производителя
2 Weeks
21 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
100V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2012
Код JESD-609
e6
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
1W
1.56W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Частота
150MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
Основной номер части
2SB1202
-
Число контактов
3
4
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1W
-
Продуктивность полосы частот
150MHz
3MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
Тип транзистора
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
100V
Максимальный ток сбора
3A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 100mA, 2A
1.2V @ 375mA, 3A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-60V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
6V
Высота
2.3mm
2.4mm
Длина
6.5mm
6.8mm
Ширина
5.5mm
6.2mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
10
Количество выводов
-
2
Тип
-
General Purpose
Форма вывода
-
GULL WING
Код JESD-30
-
R-PSSO-G2
Сокетная связка
-
COLLECTOR
Мощность - Макс
-
15W
Применение транзистора
-
SWITCHING
Частота перехода
-
3MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
100V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No