Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SB1202T-TL-E Альтернативные части: 2SA2097(TE16L1,NQ)
2SB1202T-TL-EON Semiconductor
В наличии: 2
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
99.782857 ₽
99.73 ₽
10
94.134766 ₽
941.35 ₽
100
88.806360 ₽
8,880.63 ₽
500
83.779602 ₽
41,889.84 ₽
1000
79.037335 ₽
79,037.36 ₽
Цена за единицу: 99.782857 ₽
Итоговая цена: 99.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R | Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2013 |
Код JESD-609 | e6 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | - |
Максимальная потеря мощности | 1W | 1W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Частота | 150MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | 2SB1202 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Распад мощности | 1W | 1W |
Продуктивность полосы частот | 150MHz | - |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 270mV |
Максимальный ток сбора | 3A | 5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V | 200 @ 500mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 2A | 270mV @ 53mA, 1.6A |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -60V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -6V | 7V |
Высота | 2.3mm | - |
Длина | 6.5mm | - |
Ширина | 5.5mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество выводов | - | 2 |
Положение терминала | - | SINGLE |
Форма вывода | - | GULL WING |
Код JESD-30 | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | - | SINGLE |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA2072TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 3A CPT | Для сравнения |
 | 2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | Для сравнения |
| 2SB1184TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 3A SOT-428 | Для сравнения |
 | MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | Для сравнения |