2SB1197KT146R Альтернативные части: MMST4403T146

2SB1197KT146RROHM Semiconductor

  • 2SB1197KT146RROHM Semiconductor
  • MMST4403T146ROHM Semiconductor

В наличии: 74259

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.013736 ₽

    6.04 ₽

  • 10

    5.673338 ₽

    56.73 ₽

  • 100

    5.352198 ₽

    535.16 ₽

  • 500

    5.049245 ₽

    2,524.59 ₽

  • 1000

    4.763448 ₽

    4,763.46 ₽

Цена за единицу: 6.013736 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346
TRANS PNP 40V 0.6A SOT-346
Срок поставки от производителя
7 Weeks
-
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SMD/SMT
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
59
Диэлектрический пробой напряжение
32V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
20
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2007
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-32V
-40V
Максимальная потеря мощности
200mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
-800mA
-600mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Число контактов
3
3
Направленность
PNP
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
200MHz
200MHz
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
500mV
750mV
Максимальный ток сбора
800mA
600mA
Частота перехода
200MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
32V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-40V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-6V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
180
-
Прямоходящий ток коллектора
-800mA
-
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
0.6 V
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Вид крепления
-
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Рабочая температура
-
150°C TJ
Основной номер части
-
T4403
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
Мощность - Макс
-
200mW
Полярность/Тип канала
-
PNP
Тип транзистора
-
PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
100 @ 150mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
750mV @ 50mA, 500mA
Время выключения максимальное (toff)
-
255ns
Время включения максимальный (тон)
-
35ns
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
7pF