2SB1197KT146R Альтернативные части: 2SA1036KT146Q

2SB1197KT146RROHM Semiconductor

  • 2SB1197KT146RROHM Semiconductor
  • 2SA1036KT146QROHM Semiconductor

В наличии: 74259

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.013736 ₽

    6.04 ₽

  • 10

    5.673338 ₽

    56.73 ₽

  • 100

    5.352198 ₽

    535.16 ₽

  • 500

    5.049245 ₽

    2,524.59 ₽

  • 1000

    4.763448 ₽

    4,763.46 ₽

Цена за единицу: 6.013736 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346
TRANS PNP 32V 0.5A 3-SMT
Срок поставки от производителя
7 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SMD/SMT
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
32V
32V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
82
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2009
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-32V
-32V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
-800mA
-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Число контактов
3
3
Направленность
PNP
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
200MHz
200MHz
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
500mV
600mV
Максимальный ток сбора
800mA
500mA
Частота перехода
200MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
32V
32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-40V
-40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
180
-
Прямоходящий ток коллектора
-800mA
-500mA
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
0.4 V
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Вид крепления
-
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Рабочая температура
-
150°C TJ
Основной номер части
-
2SA1036
Мощность - Макс
-
200mW
Полярность/Тип канала
-
PNP
Тип транзистора
-
PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
120 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
600mV @ 30mA, 300mA