2SB1184TLQ Альтернативные части: 2SB1412TLR ,2SA2072TLQ

2SB1184TLQROHM Semiconductor

В наличии: 50

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.544231 ₽
23.49 ₽
10
22.211538 ₽
222.12 ₽
100
20.954286 ₽
2,095.47 ₽
500
19.768187 ₽
9,884.07 ₽
1000
18.649231 ₽
18,649.18 ₽

Цена за единицу: 23.544231 ₽

Итоговая цена: 23.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SB1184TLQ	и2SB1412TLR	и2SA2072TLQ
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PNP 60V 3A SOT-428	TRANS PNP 20V 5A SOT-428	TRANS PNP 60V 3A CPT
Покрытие контактов	Copper, Tin	Copper, Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	60V	20V	60V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	82	82	-
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004	2012
Код JESD-609	e2	e2	e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Not For New Designs	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn98Cu2)	Tin/Copper (Sn98Cu2)	Tin/Copper (Sn98Cu2)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-60V	-20V	-
Максимальная потеря мощности	1W	1W	1W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	-3A	-5A	-
Частота	70MHz	120MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	2SB1184	2SB1412	-
Число контактов	3	3	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1W	1W	-
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	70MHz	120MHz	180MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	20V	500mV
Максимальный ток сбора	3A	5A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 500mA 3V	180 @ 500mA 2V	120 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	1μA ICBO	500nA ICBO	1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 2A	1V @ 100mA, 4A	500mV @ 200mA, 2A
Частота перехода	70MHz	120MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	60V	20V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	30V	-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	-6V	-6V
Прямоходящий ток коллектора	-3A	-5A	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	-	40 Weeks
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	-	3A
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.75

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SB1412TLR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS PNP 20V 5A SOT-428	Для сравнения
2SA2072TLQ	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS PNP 60V 3A CPT	Для сравнения
2SB1182TLQ	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS PNP 32V 2A SOT-428	Для сравнения
2SB1202T-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R	Для сравнения