2SB1184TLQROHM Semiconductor
В наличии: 50
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.544231 ₽
23.49 ₽
10
22.211538 ₽
222.12 ₽
100
20.954286 ₽
2,095.47 ₽
500
19.768187 ₽
9,884.07 ₽
1000
18.649231 ₽
18,649.18 ₽
Цена за единицу: 23.544231 ₽
Итоговая цена: 23.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PNP 60V 3A SOT-428 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R |
Покрытие контактов | Copper, Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 82 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2004 |
Код JESD-609 | e2 | e6 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn98Cu2) | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -60V | - |
Максимальная потеря мощности | 1W | 1W |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | -3A | - |
Частота | 70MHz | 150MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | 2SB1184 | 2SB1202 |
Число контактов | 3 | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1W | 1W |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 70MHz | 150MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 3A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 500mA 3V | 200 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | 700mV @ 100mA, 2A |
Частота перехода | 70MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | -60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -6V |
Прямоходящий ток коллектора | -3A | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | - | 2 Weeks |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Высота | - | 2.3mm |
Длина | - | 6.5mm |
Ширина | - | 5.5mm |