2SB1184TLQ Альтернативные части: 2SB1202T-TL-E ,2SB1412TLR

2SB1184TLQROHM Semiconductor

  • 2SB1184TLQROHM Semiconductor
  • 2SB1202T-TL-EON Semiconductor
  • 2SB1412TLRROHM Semiconductor

В наличии: 50

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    23.544231 ₽

    23.49 ₽

  • 10

    22.211538 ₽

    222.12 ₽

  • 100

    20.954286 ₽

    2,095.47 ₽

  • 500

    19.768187 ₽

    9,884.07 ₽

  • 1000

    18.649231 ₽

    18,649.18 ₽

Цена за единицу: 23.544231 ₽

Итоговая цена: 23.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 60V 3A SOT-428
Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
TRANS PNP 20V 5A SOT-428
Покрытие контактов
Copper, Tin
-
Copper, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
60V
50V
20V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
82
-
82
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2004
2004
Код JESD-609
e2
e6
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
-
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-60V
-
-20V
Максимальная потеря мощности
1W
1W
1W
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
-3A
-
-5A
Частота
70MHz
150MHz
120MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
10
Основной номер части
2SB1184
2SB1202
2SB1412
Число контактов
3
3
3
Код JESD-30
R-PSSO-G2
-
R-PSSO-G2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1W
1W
1W
Применение транзистора
SWITCHING
-
-
Продуктивность полосы частот
70MHz
150MHz
120MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
20V
Максимальный ток сбора
3A
3A
5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 500mA 3V
200 @ 100mA 2V
180 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
1μA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
700mV @ 100mA, 2A
1V @ 100mA, 4A
Частота перехода
70MHz
-
120MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
-
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-60V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-6V
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-3A
-
-5A
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
Срок поставки от производителя
-
2 Weeks
-
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Высота
-
2.3mm
-
Длина
-
6.5mm
-
Ширина
-
5.5mm
-