2SA2029M3T5G Альтернативные части: DTA143EM3T5G ,NS2029M3T5G

2SA2029M3T5GON Semiconductor

  • 2SA2029M3T5GON Semiconductor
  • DTA143EM3T5GON Semiconductor
  • NS2029M3T5GON Semiconductor

В наличии: 6922

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.119368 ₽

    11.13 ₽

  • 10

    10.489973 ₽

    104.95 ₽

  • 100

    9.896195 ₽

    989.56 ₽

  • 500

    9.336030 ₽

    4,667.99 ₽

  • 1000

    8.807582 ₽

    8,807.55 ₽

Цена за единицу: 11.119368 ₽

Итоговая цена: 11.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
2 Weeks
2 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-723
SOT-723
SOT-723
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
15
-
Рабочая температура
150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2007
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-
Максимальная потеря мощности
265mW
260mW
265mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
FLAT
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-
Частота
140MHz
-
140MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
265mW
260mW
265mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
-
Продуктивность полосы частот
140MHz
-
140MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP - Pre-Biased
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
15 @ 5mA 10V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500pA ICBO
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 1mA, 10mA
500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
140MHz
-
140MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
6V
Высота
550μm
-
-
Длина
1.25mm
-
-
Ширина
850μm
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
Основной номер части
-
DTA143
-
Направленность
-
PNP
-
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
-
База (R1)
-
4.7 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
4.7 k Ω
-