Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SA2029M3T5G Альтернативные части: DTA143EM3T5G
2SA2029M3T5GON Semiconductor
В наличии: 6922
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.119368 ₽
11.13 ₽
10
10.489973 ₽
104.95 ₽
100
9.896195 ₽
989.56 ₽
500
9.336030 ₽
4,667.99 ₽
1000
8.807582 ₽
8,807.55 ₽
Цена за единицу: 11.119368 ₽
Итоговая цена: 11.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 2 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-723 | SOT-723 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 15 |
Рабочая температура | 150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 265mW | 260mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Частота | 140MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 265mW | 260mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Продуктивность полосы частот | 140MHz | - |
Полярность/Тип канала | PNP | - |
Тип транзистора | PNP | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 15 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500pA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
Частота перехода | 140MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - |
Высота | 550μm | - |
Длина | 1.25mm | - |
Ширина | 850μm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Основной номер части | - | DTA143 |
Направленность | - | PNP |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V |
База (R1) | - | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 4.7 k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA144TM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA143EM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| NS2029M3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-723 | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 | Для сравнения |