Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SA1873-Y(TE85L,F) Альтернативные части: UMY1NTR
2SA1873-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 5928
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
29.742967 ₽
29.81 ₽
10
28.059423 ₽
280.63 ₽
100
26.471140 ₽
2,647.12 ₽
500
24.972775 ₽
12,486.40 ₽
1000
23.559217 ₽
23,559.20 ₽
Цена за единицу: 29.742967 ₽
Итоговая цена: 29.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5UMT |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2004 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Направленность | PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Мощность - Макс | 200mW | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 180MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 80MHz | 180MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | 7V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 5 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Код JESD-609 | - | e2 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 5 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | 150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | *MY1 |
Число контактов | - | 5 |
Распад мощности | - | 150mW |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER |
Максимальная частота | - | 100MHz |
Частота - Переход | - | 180MHz 140MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | 150mA |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.4 V |
Высота | - | 900μm |
Длина | - | 2mm |
Ширина | - | 1.25mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMY1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5UMT | Для сравнения |
 | 2SA1873-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | Для сравнения |
| UMA4NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
 | RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | Для сравнения |