Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SA1873-Y(TE85L,F) Альтернативные части: RN2711(TE85L,F)
2SA1873-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 5928
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
29.742967 ₽
29.81 ₽
10
28.059423 ₽
280.63 ₽
100
26.471140 ₽
2,647.12 ₽
500
24.972775 ₽
12,486.40 ₽
1000
23.559217 ₽
23,559.20 ₽
Цена за единицу: 29.742967 ₽
Итоговая цена: 29.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | - |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2009 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Код соответствия REACH | unknown | unknown |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Мощность - Макс | 200mW | 200mW |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | - |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 400 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 80MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Частота - Переход | - | 200MHz |
База (R1) | - | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | -100mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMY1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5UMT | Для сравнения |
 | 2SA1873-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | Для сравнения |
| UMA4NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
 | RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | Для сравнения |