2SA1163-BL,LF Альтернативные части: MMBT5401Q-7-F ,2SC2713-GR,LF

2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 35780

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽

Цена за единицу: 23.986264 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1163-BL,LF	иMMBT5401Q-7-F	и2SC2713-GR,LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236
Срок поставки от производителя	12 Weeks	19 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	120V	150V	120V
Рабочая температура	125°C TJ	-55°C~150°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	-	2014
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	150mW	350mW	150mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Мощность - Макс	150mW	350mW	150mW
Тип транзистора	PNP	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	500mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	600mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	350 @ 2mA 6V	60 @ 10mA 5V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	50nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 5mA, 50mA	300mV @ 1mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	120V	-	120V
Частота - Переход	100MHz	300MHz	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	-	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	-	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	SOT-23	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	600mA	-
Серия	-	Automotive, AEC-Q101	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	150V	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SC2713-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236	Для сравнения
2SC3324GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	Для сравнения
2SA1163-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI	Для сравнения
MMBT5401Q-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения