2SA1163-BL,LF Альтернативные части: 2SC3324GRTE85LF

2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 35780

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽

Цена за единицу: 23.986264 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1163-BL,LF	и2SC3324GRTE85LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
Срок поставки от производителя	12 Weeks	11 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	120V	120V
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2009
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW
Код соответствия REACH	unknown	-
Мощность - Макс	150mW	150mW
Тип транзистора	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	120V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	350 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	120V	120V
Частота - Переход	100MHz	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Минимальная частота работы в герцах	-	200
Конфигурация элемента	-	Single
Продуктивность полосы частот	-	100MHz
Полярность/Тип канала	-	NPN
Корпусировка на излучение	-	No
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SC2713-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236	Для сравнения
2SC3324GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	Для сравнения
2SA1163-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI	Для сравнения
MMBT5401Q-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения