2SA1163-BL,LF Альтернативные части: 2SC3324GRTE85LF ,2SA1163-GR,LF

2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 35780

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.986264 ₽
24.04 ₽
10
22.628544 ₽
226.24 ₽
100
21.347679 ₽
2,134.75 ₽
500
20.139341 ₽
10,069.64 ₽
1000
18.999327 ₽
18,999.31 ₽

Цена за единицу: 23.986264 ₽

Итоговая цена: 24.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1163-BL,LF	и2SC3324GRTE85LF	и2SA1163-GR,LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Срок поставки от производителя	12 Weeks	11 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	-
Диэлектрический пробой напряжение	120V	120V	120V
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2009	2014
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Код соответствия REACH	unknown	-	unknown
Мощность - Макс	150mW	150mW	150mW
Тип транзистора	PNP	NPN	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	120V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	350 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	120V	120V	120V
Частота - Переход	100MHz	-	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	120V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Минимальная частота работы в герцах	-	200	-
Конфигурация элемента	-	Single	-
Продуктивность полосы частот	-	100MHz	-
Полярность/Тип канала	-	NPN	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Без свинца	-	Lead Free	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SC2713-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236	Для сравнения
2SC3324GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	Для сравнения
2SA1163-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI	Для сравнения
MMBT5401Q-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения