2DD2652-7 Альтернативные части: FJX945GTF ,BC846AW-7-F

2DD2652-7Diodes Incorporated

В наличии: 2929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.474121 ₽
7.42 ₽
500
5.495632 ₽
2,747.80 ₽
1000
4.579739 ₽
4,579.67 ₽
2000
4.201621 ₽
8,403.30 ₽
5000
3.926745 ₽
19,633.79 ₽
10000
3.652720 ₽
36,527.20 ₽
15000
3.532692 ₽
52,990.38 ₽
50000
3.473599 ₽
173,679.95 ₽

Цена за единицу: 7.474121 ₽

Итоговая цена: 7.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2DD2652-7	иFJX945GTF	иBC846AW-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя	15 Weeks	6 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	30mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	12V	50V	65V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2004	2017
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	300mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED	260
Частота	260MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED	40
Основной номер части	2DD2652	FJX945	BC846
Число контактов	3	-	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	500mW	200mW	200mW
Мощность - Макс	300mW	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	260MHz	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	12V	50V	65V
Максимальный ток сбора	1.5A	150mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	270 @ 200mA 2V	200 @ 1mA 6V	110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 25mA, 500mA	300mV @ 10mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	260MHz	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	12V	50V	65V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	15V	60V	80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V	6V
Высота	1mm	900μm	1mm
Длина	2.15mm	2mm	2.2mm
Ширина	1.3mm	1.25mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)	-
Минимальная частота работы в герцах	-	70	110
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V	-
Моментальный ток	-	150mA	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	Not Qualified
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	-	Tin
Тип	-	-	General Purpose
Прямоходящий ток коллектора	-	-	100mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJX945GTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения
BC846AW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
MMST5551-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения