2DD2652-7 Альтернативные части: MMST5551-7-F

2DD2652-7Diodes Incorporated

В наличии: 2929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.474121 ₽
7.42 ₽
500
5.495632 ₽
2,747.80 ₽
1000
4.579739 ₽
4,579.67 ₽
2000
4.201621 ₽
8,403.30 ₽
5000
3.926745 ₽
19,633.79 ₽
10000
3.652720 ₽
36,527.20 ₽
15000
3.532692 ₽
52,990.38 ₽
50000
3.473599 ₽
173,679.95 ₽

Цена за единицу: 7.474121 ₽

Итоговая цена: 7.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2DD2652-7	иMMST5551-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323	TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	12V	160V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2007
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-
Код ECCN	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	300mW	200mW
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Частота	260MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Основной номер части	2DD2652	MMST5551
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	500mW	200mW
Мощность - Макс	300mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	260MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	12V	160V
Максимальный ток сбора	1.5A	200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	270 @ 200mA 2V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 25mA, 500mA	200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	260MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	12V	160V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	15V	180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Высота	1mm	1mm
Длина	2.15mm	2.2mm
Ширина	1.3mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	SOT-323
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	200mA
Минимальная частота работы в герцах	-	80
Завершение	-	SMD/SMT
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	160V
Моментальный ток	-	200mA
Направленность	-	NPN
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	160V
Максимальная частота	-	300MHz
Частота - Переход	-	300MHz
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJX945GTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения
BC846AW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
MMST5551-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения