2DD2652-7 Альтернативные части: 2DD2656-7 ,FJX945GTF

2DD2652-7Diodes Incorporated

В наличии: 2929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.474121 ₽
7.42 ₽
500
5.495632 ₽
2,747.80 ₽
1000
4.579739 ₽
4,579.67 ₽
2000
4.201621 ₽
8,403.30 ₽
5000
3.926745 ₽
19,633.79 ₽
10000
3.652720 ₽
36,527.20 ₽
15000
3.532692 ₽
52,990.38 ₽
50000
3.473599 ₽
173,679.95 ₽

Цена за единицу: 7.474121 ₽

Итоговая цена: 7.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2DD2652-7	и2DD2656-7	иFJX945GTF
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Срок поставки от производителя	15 Weeks	12 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	6.010099mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	12V	30V	50V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2008	2004
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	NOT SPECIFIED
Частота	260MHz	270MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	2DD2652	2DD2656	FJX945
Число контактов	3	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	500mW	500mW	200mW
Мощность - Макс	300mW	300mW	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	260MHz	270MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	12V	30V	50V
Максимальный ток сбора	1.5A	1A	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	270 @ 200mA 2V	270 @ 100mA 2V	200 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 25mA, 500mA	350mV @ 25mA, 500mA	300mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода	260MHz	270MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	12V	30V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	15V	30V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	5V
Высота	1mm	1mm	900μm
Длина	2.15mm	2.15mm	2mm
Ширина	1.3mm	1.3mm	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Минимальная частота работы в герцах	-	270	70
Завершение	-	SMD/SMT	-
Состояние жизненного цикла	-	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	50V
Моментальный ток	-	-	150mA
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJX945GTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения
BC846AW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
MMST5551-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения