2DB1182Q-13 Альтернативные части: 2SB1202T-TL-E ,KSH2955TF

2DB1182Q-13Diodes Incorporated

  • 2DB1182Q-13Diodes Incorporated
  • 2SB1202T-TL-EON Semiconductor
  • KSH2955TFON Semiconductor

В наличии: 16299

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 32V 2A TO252
Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Срок поставки от производителя
13 Weeks
2 Weeks
9 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Вес
3.949996g
-
260.37mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
32V
50V
60V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2004
2014
Код JESD-609
e3
e6
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
-
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
-
Максимальная потеря мощности
10W
1W
1.75W
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
-
Частота
110MHz
150MHz
2MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
2DB1182
2SB1202
KSH2955
Код JESD-30
R-PSSO-G2
-
R-PSSO-G2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
10W
1W
1.75W
Сокетная связка
COLLECTOR
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
110MHz
150MHz
2MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
32V
50V
60V
Максимальный ток сбора
2A
3A
10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 500mA 3V
200 @ 100mA 2V
20 @ 4A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
1μA ICBO
50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
700mV @ 100mA, 2A
8V @ 3.3A, 10A
Частота перехода
110MHz
-
2MHz
Максимальное напряжение разрушения
32V
-
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
-60V
-70V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-6V
-5V
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Конечная обработка контакта
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
-
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Число контактов
-
3
-
Высота
-
2.3mm
-
Длина
-
6.5mm
-
Ширина
-
5.5mm
-
Минимальная частота работы в герцах
-
-
20
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
-60V
Моментальный ток
-
-
-10A