Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2DB1182Q-13 Альтернативные части: 2SB1202T-TL-E
2DB1182Q-13Diodes Incorporated
В наличии: 16299
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
44.134725 ₽
44.09 ₽
10
41.636511 ₽
416.35 ₽
100
39.279712 ₽
3,928.02 ₽
500
37.056374 ₽
18,528.16 ₽
1000
34.958832 ₽
34,958.79 ₽
Цена за единицу: 44.134725 ₽
Итоговая цена: 44.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PNP 32V 2A TO252 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 2 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 3.949996g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 32V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e6 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 10W | 1W |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Частота | 110MHz | 150MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | 2DB1182 | 2SB1202 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 10W | 1W |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 110MHz | 150MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 32V | 50V |
Максимальный ток сбора | 2A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 500mA 3V | 200 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A | 700mV @ 100mA, 2A |
Частота перехода | 110MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 32V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | -60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -6V |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Число контактов | - | 3 |
Высота | - | 2.3mm |
Длина | - | 6.5mm |
Ширина | - | 5.5mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSH112GTM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Для сравнения |
 | 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R | Для сравнения |
| KSH2955TF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Для сравнения |
 | MJD32C-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | Для сравнения |