ZXTP722MATA Альтернативные части: ZXTP720MATA ,ZXTP718MATA

ZXTP722MATADiodes Incorporated

В наличии: 1210

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
33.103929 ₽
33.10 ₽
10
31.230110 ₽
312.36 ₽
100
29.462321 ₽
2,946.29 ₽
500
27.794712 ₽
13,897.39 ₽
1000
26.221401 ₽
26,221.43 ₽

Цена за единицу: 33.103929 ₽

Итоговая цена: 33.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTP722MATA	иZXTP720MATA	иZXTP718MATA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PNP 70V 2.5A 3-DFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UDFN	3-UDFN	3-UDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	70V	40V	20V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	2.5A	-	-
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Digi-Reel®	Digi-Reel®
Опубликовано	2011	2016	2016
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	2.45W	3W	3W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	180MHz	190MHz	180MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	ZXTP722	ZXTP720	ZXTP718
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2.45W	2.45W	2.45W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Мощность - Макс	3W	3W	3W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	180MHz	190MHz	180MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	70V	40V	20V
Максимальный ток сбора	2.7A	3A	3.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	40 @ 1.5A 5V	60 @ 1.5A 2V	150 @ 2A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	25nA	25nA	25nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	260mV @ 200mA, 1.5A	370mV @ 250mA, 2.5A	300mV @ 350mA, 3.5A
Частота перехода	180MHz	190MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	70V	40V	20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	70V	50V	25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-7.5V	-7.5V	-7.5V
Прямоходящий ток коллектора	-2.5A	-3A	-3.5A
Высота	580μm	-	-
Длина	2.08mm	-	-
Ширина	2.075mm	-	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXTN619MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS NPN 50V 4A 3-DFN	Для сравнения
ZXTP720MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Для сравнения
ZXTP718MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Для сравнения
ZXTN620MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN	Для сравнения