ZXTP720MATA Альтернативные части: ZXTN620MATA ,ZXTN619MATA

ZXTP720MATADiodes Incorporated

В наличии: 17386

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
40.787637 ₽
40.80 ₽
10
38.478901 ₽
384.75 ₽
100
36.300852 ₽
3,630.08 ₽
500
34.246085 ₽
17,123.08 ₽
1000
32.307624 ₽
32,307.69 ₽

Цена за единицу: 40.787637 ₽

Итоговая цена: 40.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTP720MATA	иZXTN620MATA	иZXTN619MATA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN	TRANS NPN 50V 4A 3-DFN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UDFN	3-UDFN	3-UDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	80V	50V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Digi-Reel®	Digi-Reel®
Опубликовано	2016	2002	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	3W	2.45W	2.45W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	190MHz	160MHz	165MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	ZXTP720	ZXTN620MA	ZXTN619MA
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2.45W	2.45W	2.45W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Мощность - Макс	3W	3W	3W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	190MHz	160MHz	165MHz
Полярность/Тип канала	PNP	NPN	NPN
Тип транзистора	PNP	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	80V	50V
Максимальный ток сбора	3A	3.8A	4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	60 @ 1.5A 2V	300 @ 200mA 2V	100 @ 2A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	25nA	25nA	25nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	370mV @ 250mA, 2.5A	325mV @ 300mA, 3.5A	320mV @ 200mA, 4A
Частота перехода	190MHz	160MHz	165MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	80V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	100V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-7.5V	7V	7V
Прямоходящий ток коллектора	-3A	3.5A	4A
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Высота	-	580μm	580μm
Длина	-	2.08mm	2.08mm
Ширина	-	2.075mm	2.075mm
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXTN619MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS NPN 50V 4A 3-DFN	Для сравнения
ZXTP722MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS PNP 70V 2.5A 3-DFN	Для сравнения
ZXTP718MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Для сравнения
ZXTN620MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN	Для сравнения