ZXTN2020FTA Альтернативные части: FMMT493TA

ZXTN2020FTADiodes Incorporated

  • ZXTN2020FTADiodes Incorporated
  • FMMT493TADiodes Incorporated

В наличии: 2874

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    42.857115 ₽

    42.86 ₽

  • 10

    40.431250 ₽

    404.26 ₽

  • 100

    38.142665 ₽

    3,814.29 ₽

  • 500

    35.983613 ₽

    17,991.76 ₽

  • 1000

    33.946896 ₽

    33,946.84 ₽

Цена за единицу: 42.857115 ₽

Итоговая цена: 42.86 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 4A SOT23-3
TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
100V
100V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2006
2012
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
60V
Максимальная потеря мощности
1.56W
500mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
4A
1A
Частота
130MHz
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
ZXTN2020
FMMT493
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.56W
500mW
Мощность - Макс
1.2W
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
130MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
Максимальный ток сбора
4A
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1A 2V
100 @ 250mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
150mV @ 400mA, 4A
600mV @ 100mA, 1A
Частота перехода
130MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
160V
120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
5V
Высота
1mm
1.1mm
Длина
3.05mm
3mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn) - annealed
Напряжение
-
100V
Текущий
-
1A
Прямоходящий ток коллектора
-
1A