ZXTN04120HKTC Альтернативные части: DXT13003DK-13

ZXTN04120HKTCDiodes Incorporated

В наличии: 13278

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
56.607582 ₽
56.59 ₽
10
53.403407 ₽
534.07 ₽
100
50.380563 ₽
5,038.05 ₽
500
47.528777 ₽
23,764.42 ₽
1000
44.838489 ₽
44,838.46 ₽

Цена за единицу: 56.607582 ₽

Итоговая цена: 56.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTN04120HKTC	иDXT13003DK-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252	Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-252 T/R
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	2	3
Вес	200.005886mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	120V	450V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	500	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	1.5W	3.9W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Направленность	NPN	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	150MHz	4MHz
Тип транзистора	NPN - Darlington	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	120V	400mV
Максимальный ток сбора	1.5A	1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	2000 @ 1A 5V	16 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A	400mV @ 250mA, 1A
Частота перехода	150MHz	4MHz
Максимальное напряжение разрушения	120V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	140V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	14V	9V
Прямоходящий ток коллектора	1.5A	-
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	1.5A
Код JESD-30	-	R-PSSO-G2
Мощность - Макс	-	1.6W
Полярность/Тип канала	-	NPN

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD1918TLQ	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS NPN 160V 1.5A SOT-428	Для сравнения
DXT13003EK-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV	Для сравнения
DXT13003DK-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-252 T/R	Для сравнения
2SD1816S-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R	Для сравнения