ZXTC2045E6TA Альтернативные части: ZXTC2063E6TA ,HN1C01F-GR(TE85L,F

ZXTC2045E6TADiodes Incorporated

  • ZXTC2045E6TADiodes Incorporated
  • ZXTC2063E6TADiodes Incorporated
  • HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 19920

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    17.473077 ₽

    17.45 ₽

  • 10

    16.484038 ₽

    164.84 ₽

  • 100

    15.550975 ₽

    1,555.08 ₽

  • 500

    14.670728 ₽

    7,335.30 ₽

  • 1000

    13.840316 ₽

    13,840.38 ₽

Цена за единицу: 17.473077 ₽

Итоговая цена: 17.45 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r
TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
4 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SOT-23-6
SC-74, SOT-457
Количество контактов
6
6
6
Вес
7.994566mg
7.994566mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
30V
40V
50V
Количество элементов
2
2
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2006
2012
2009
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
1.7W
1.7W
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
1.5A
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
Z2045
Z2063
-
Число контактов
6
6
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
1.7W
1.7W
-
Мощность - Макс
1.1W
1.1W
300mW
Тип транзистора
NPN, PNP
NPN, PNP
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
40V
250mV
Максимальный ток сбора
1.5A
3A
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 100mA 2V
300 @ 10mA 2V / 200 @ 1A 2V
120 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA
50nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
375mV @ 15mA, 750mA
195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
250mV @ 10mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения
30V
40V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
130V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
7V
5V
Высота
1.3mm
1.3mm
-
Длина
3.1mm
3.1mm
-
Ширина
1.8mm
1.8mm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
3.5A 3A
-
Частота
-
190MHz
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
-
270MHz
80MHz
Частота перехода
-
190MHz
-
Частота - Переход
-
190MHz 270MHz
800MHz
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Минимальная частота работы в герцах
-
-
120