ZXTC2045E6TA Альтернативные части: ZXTC2061E6TA ,ZXTC2063E6TA

ZXTC2045E6TADiodes Incorporated

В наличии: 19920

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
17.473077 ₽
17.45 ₽
10
16.484038 ₽
164.84 ₽
100
15.550975 ₽
1,555.08 ₽
500
14.670728 ₽
7,335.30 ₽
1000
13.840316 ₽
13,840.38 ₽

Цена за единицу: 17.473077 ₽

Итоговая цена: 17.45 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTC2045E6TA	иZXTC2061E6TA	иZXTC2063E6TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r	TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23	TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	12V	40V
Количество элементов	2	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2007	2012
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	1.7W	1.7W	1.7W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	1.5A	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	Z2045	Z2061	Z2063
Число контактов	6	6	6
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	1.7W	1.7W	1.7W
Мощность - Макс	1.1W	1.1W	1.1W
Тип транзистора	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	12V	40V
Максимальный ток сбора	1.5A	3.5A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	180 @ 100mA 2V	480 @ 1A 2V / 290 @ 1A 2V	300 @ 10mA 2V / 200 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	20nA	50nA ICBO	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	375mV @ 15mA, 750mA	180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A	195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Максимальное напряжение разрушения	30V	12V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	20V	130V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	7V	7V
Высота	1.3mm	1.3mm	1.3mm
Длина	3.1mm	3.1mm	3.1mm
Ширина	1.8mm	1.8mm	1.8mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	5A 3.5A	3.5A 3A
Частота	-	260MHz	190MHz
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	-	310MHz	270MHz
Частота перехода	-	260MHz	190MHz
Корпусировка на излучение	-	No	No
Частота - Переход	-	-	190MHz 270MHz
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXTC2063E6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23	Для сравнения
HN1C01F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A	Для сравнения
DMMT5401-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26	Для сравнения
ZXTC2061E6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23	Для сравнения