ZXTC2045E6TA Альтернативные части: HN1C01F-GR(TE85L,F ,DMMT5401-7-F

ZXTC2045E6TADiodes Incorporated

  • ZXTC2045E6TADiodes Incorporated
  • HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
  • DMMT5401-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 19920

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    17.473077 ₽

    17.45 ₽

  • 10

    16.484038 ₽

    164.84 ₽

  • 100

    15.550975 ₽

    1,555.08 ₽

  • 500

    14.670728 ₽

    7,335.30 ₽

  • 1000

    13.840316 ₽

    13,840.38 ₽

Цена за единицу: 17.473077 ₽

Итоговая цена: 17.45 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26
Срок поставки от производителя
15 Weeks
4 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SC-74, SOT-457
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
7.994566mg
-
29.993795mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
50V
150V
Количество элементов
2
-
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
125°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2009
2007
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
-
6
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
-
Максимальная потеря мощности
1.7W
300mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
1.5A
-
-200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Основной номер части
Z2045
-
DMMT5401
Число контактов
6
-
6
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Направленность
NPN, PNP
NPN
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
1.7W
-
300mW
Мощность - Макс
1.1W
300mW
-
Тип транзистора
NPN, PNP
2 NPN (Dual)
2 PNP (Dual) Matched Pair
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
250mV
150V
Максимальный ток сбора
1.5A
150mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 100mA 2V
120 @ 2mA 6V
60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA
100nA ICBO
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
375mV @ 15mA, 750mA
250mV @ 10mA, 100mA
500mV @ 5mA, 50mA
Максимальное напряжение разрушения
30V
50V
150V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
60V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
5V
5V
Высота
1.3mm
-
450μm
Длина
3.1mm
-
1.6mm
Ширина
1.8mm
-
800μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Минимальная частота работы в герцах
-
120
60
Продуктивность полосы частот
-
80MHz
300MHz
Частота - Переход
-
800MHz
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Покрытие контактов
-
-
Tin
Номинальное напряжение
-
-
50V
Допуск
-
-
1%
Сопротивление
-
-
56.2kOhm
Мощность рейтинга
-
-
100mW
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
-150V
Частота
-
-
300MHz
Код корпуса (метрический)
-
-
1608
Код корпуса (имперский)
-
-
0603
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Частота перехода
-
-
100MHz
REACH SVHC
-
-
No SVHC