Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMN3F30FHTA Альтернативные части: SI2336DS-T1-GE3 ,DMG2307L-7
ZXMN3F30FHTADiodes Incorporated
В наличии: 96781
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
67.161538 ₽
67.17 ₽
10
63.359904 ₽
633.65 ₽
100
59.773571 ₽
5,977.34 ₽
500
56.390069 ₽
28,195.05 ₽
1000
53.198269 ₽
53,198.21 ₽
Цена за единицу: 67.161538 ₽
Итоговая цена: 67.17 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 14 Weeks | 5 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 1.437803g | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.8A Ta | 5.2A Tc | 2.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 1.8V 4.5V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 950mW Ta | 1.25W Ta 1.8W Tc | 760mW Ta |
Время отключения | 17 ns | 20 ns | 22.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2013 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 47mOhm | - | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.4W | 1.25W | 1.36W |
Время задержки включения | 1.6 ns | 6 ns | 4.8 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 47m Ω @ 3.2A, 10V | 42m Ω @ 3.8A, 4.5V | 90m Ω @ 2.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 318pF @ 15V | 560pF @ 15V | 371.3pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 7.7nC @ 10V | 15nC @ 8V | 8.2nC @ 10V |
Время подъема | 2.6ns | 10ns | 7.3ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±8V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.6 ns | 10 ns | 13.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.6A | 5.2A | 3.8A |
Пороговое напряжение | 1V | 1V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 8V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Высота | 1.02mm | 1.12mm | 1mm |
Длина | 3.04mm | - | 3mm |
Ширина | 1.4mm | - | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | TrenchFET® | - |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.042Ohm | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 400 mV | - |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 2.5A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
 | SI2366DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 | Для сравнения |
| SI2336DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | Для сравнения |