Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMN2AMCTA Альтернативные части: NTLGF3501NT1G ,DMS2120LFWB-7
ZXMN2AMCTADiodes Incorporated
В наличии: 4
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
93.066703 ₽
93.13 ₽
10
87.798750 ₽
878.02 ₽
100
82.829080 ₽
8,282.97 ₽
500
78.140632 ₽
39,070.33 ₽
1000
73.717555 ₽
73,717.58 ₽
Цена за единицу: 93.066703 ₽
Итоговая цена: 93.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-VDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad |
Количество контактов | 8 | - | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.7A Ta | 2.8A Ta | 2.9A Ta |
Количество элементов | 2 | 1 | 1 |
Время отключения | 1.6 ns | 9 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | FETKY™ | - |
Опубликовано | 2010 | 2006 | 2012 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 6 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 6 | 8 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.45W | 1.74W | - |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Время задержки включения | 2.3 ns | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 120m Ω @ 4A, 4.5V | 90m Ω @ 3.4A, 4.5V | 95m Ω @ 2.8A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 1.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 299pF @ 15V | 275pF @ 10V | 632pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | - |
Время подъема | 2.6ns | 13.6ns | - |
Время падения (тип) | 1.3 ns | 13.6 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.7A | 2.8A | 2.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | -20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 13A | 13.8A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Standard | - | Schottky Diode (Isolated) |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.14W Ta | 1.5W Ta |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | C BEND | - |
Моментальный ток | - | 3.4A | - |
Код JESD-30 | - | R-XDSO-C6 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V | ±12V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.09Ohm | 0.095Ohm |
Вес | - | - | 37.393021mg |
Каналов количество | - | - | 1 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 20V |
Высота | - | - | 780μm |
Длина | - | - | 3mm |
Ширина | - | - | 2mm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTLGF3501NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | Для сравнения |
 | DMS2120LFWB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN | Для сравнения |
 | DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XDFN | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | Для сравнения |
| NTLGF3501NT2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | Для сравнения |