ZDT1049TA Альтернативные части: ZDT1048TA

ZDT1049TADiodes Incorporated

В наличии: 1737

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZDT1049TA	иZDT1048TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS 2NPN 25V 5A SM8	Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SMD, Gull Wing	8-SMD, Gull Wing
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	25V	17.5V
Количество элементов	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	no	no
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	25V	17.5V
Максимальная потеря мощности	2.75W	2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	5A	5A
Частота	180MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	ZDT1049	ZDT1048
Число контактов	8	8
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	2.75W	2.75W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	180MHz	150MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	25V	17.5V
Максимальный ток сбора	5A	5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 1A 2V	300 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	10nA	10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	220mV @ 50mA, 4A	300mV @ 50mA, 5A
Частота перехода	180MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	25V	17.5V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	80V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	5A	5A
Высота	1.6mm	1.6mm
Длина	6.7mm	6.7mm
Ширина	3.7mm	3.7mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZDT1048TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R	Для сравнения
ZDT1053TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	Trans GP BJT NPN 75V 5A 8-Pin SM8 T/R	Для сравнения
ZDT6718TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	Trans GP BJT NPN/PNP 20V 2A/1.5A 8-Pin SM8 T/R	Для сравнения