XP0555300L Альтернативные части: ZXTN25100DFHTA ,DSC2C01S0L

XP0555300LPanasonic Electronic Components

  • XP0555300LPanasonic Electronic Components
  • ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated
  • DSC2C01S0LPanasonic Electronic Components

В наличии: 1327

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    30.702418 ₽

    30.77 ₽

  • 10

    28.964560 ₽

    289.70 ₽

  • 100

    27.325055 ₽

    2,732.55 ₽

  • 500

    25.778324 ₽

    12,889.15 ₽

  • 1000

    24.319190 ₽

    24,319.23 ₽

Цена за единицу: 30.702418 ₽

Итоговая цена: 30.77 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS DUAL NPN 100V 20MA SMINI6
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик упаковки устройства
SMINI6-G1
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
100V
100V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
20mA
-
-
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2011
2006
2011
Состояние изделия
Obsolete
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
-
-
Максимальная потеря мощности
150mW
1.81W
200mW
Моментальный ток
20mA
-
-
Мощность - Макс
150mW
1.25W
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
200mV
100V
100V
Максимальный ток сбора
20mA
2.5A
20mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
400 @ 2mA 10V
300 @ 10mA 2V
600 @ 2mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA
50nA ICBO
1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 1mA, 10mA
330mV @ 250mA, 2.5A
200mV @ 1mA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
100V
-
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
100V
Частота - Переход
150MHz
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
11 Weeks
10 Weeks
Количество контактов
-
3
3
Вес
-
7.994566mg
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
NOT SPECIFIED
Частота
-
175MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
NOT SPECIFIED
Основной номер части
-
ZXTN25100D
DSC2C01
Число контактов
-
3
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Распад мощности
-
1.81W
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
-
175MHz
140MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
175MHz
140MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
180V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
7V
15V
Высота
-
1mm
1.1mm
Длина
-
3.05mm
2.9mm
Ширина
-
1.4mm
1.5mm
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Покрытие контактов
-
-
Tin
Минимальная частота работы в герцах
-
-
400
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Максимальная частота
-
-
140MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
-
20mA