Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
XN0150900L Альтернативные части: DTC114EETL ,DTA114EKAT146
XN0150900LPanasonic Electronic Components
В наличии: 1954
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS DUAL NPN 50V 50MA MINI5 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74A, SOT-753 | SC-75, SOT-416 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поставщик упаковки устройства | Mini5-G1 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 50mA | - | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2005 | 2000 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW | 200mW |
Моментальный ток | 50mA | 50mA | -50mA |
Мощность - Макс | 200mW | - | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 10V | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100μA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Состояние RoHS | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 13 Weeks | 13 Weeks |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | - | 30 | 30 |
Код JESD-609 | - | e1 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Основной номер части | - | DTC114 | DTA114 |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V | 50V |
Направленность | - | NPN | PNP |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Распад мощности | - | 150mW | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | - | 10 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 50mA | -50mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | - | 700μm | 1.1mm |
Длина | - | 1.6mm | 2.9mm |
Ширина | - | 800μm | 1.6mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Каналов количество | - | - | 1 |
Сокетная связка | - | - | COLLECTOR |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDC144TU-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 NPN 200MW | Для сравнения |
 | DTC114EETL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Для сравнения |
 | DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Для сравнения |
| DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |