Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UP0411100L Альтернативные части: 2DC4617QLP-7B
UP0411100LPanasonic Electronic Components
В наличии: 98
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
34.540220 ₽
34.48 ₽
10
32.585151 ₽
325.82 ₽
100
30.740701 ₽
3,074.04 ₽
500
29.000646 ₽
14,500.27 ₽
1000
27.359121 ₽
27,359.07 ₽
Цена за единицу: 34.540220 ₽
Итоговая цена: 34.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | 3-UFDFN |
Поставщик упаковки устройства | SSMINI6-F1 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2003 | 2015 |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | - |
Максимальная потеря мощности | 125mW | 250mW |
Моментальный ток | -100mA | - |
Мощность - Макс | 125mW | - |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 250mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 80MHz | - |
База (R1) | 10kOhms | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10kOhms | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 19 Weeks |
Количество контактов | - | 3 |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ |
Код JESD-609 | - | e4 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Основной номер части | - | 2DC4617 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2DC4617QLP-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K | Для сравнения |
 | 2PD601AR,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.1A SC-59 | Для сравнения |
 | 2SC6054J0L | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-89, SOT-490 | TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 | Для сравнения |
| 2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |