UMZ2NTR Альтернативные части: UMT1NTN ,2SC4081T106S

UMZ2NTRROHM Semiconductor

В наличии: 8920

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.820055 ₽
4.81 ₽
10
4.547225 ₽
45.47 ₽
100
4.289835 ₽
428.98 ₽
500
4.047005 ₽
2,023.49 ₽
1000
3.817940 ₽
3,817.99 ₽

Цена за единицу: 4.820055 ₽

Итоговая цена: 4.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMZ2NTR	иUMT1NTN	и2SC4081T106S
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount, Through Hole
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70, SOT-323
Количество контактов	6	6	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	1
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004	2009
Код JESD-609	e2	e2	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN COPPER	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	200mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	150mA	-150mA	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	*MZ2	*MT1	2SC4081
Число контактов	6	6	3
Направленность	NPN, PNP	PNP	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Single
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	180MHz	140MHz	180MHz
Тип транзистора	NPN, PNP	2 PNP (Dual)	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA	500mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота	100MHz	140MHz	-
Частота перехода	180MHz	140MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	180MHz 140MHz	-	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	-6V	7V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	-150mA	150mA
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	0.5 V	0.4 V
Высота	700μm	900μm	-
Длина	2mm	2mm	-
Ширина	1.25mm	1.25mm	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	13 Weeks	10 Weeks
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-50V	50V
Выводной напряжение	-	50V	-
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Покрытие контактов	-	-	Copper, Silver, Tin
Положение терминала	-	-	DUAL
Полярность/Тип канала	-	-	NPN

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DSC5002R0L	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-85	Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm	Для сравнения
2SC4081UBTLR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-85	TRANS NPN 50V 0.15A UMT3F	Для сравнения
UMT1NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
2SC4081T106S	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323	Для сравнения