UMT1NTN Альтернативные части: 2SA1576UBTLR ,2SA1576AT106R

UMT1NTNROHM Semiconductor

  • UMT1NTNROHM Semiconductor
  • 2SA1576UBTLRROHM Semiconductor
  • 2SA1576AT106RROHM Semiconductor

В наличии: 72251

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.638736 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.376168 ₽

    43.82 ₽

  • 100

    4.128462 ₽

    412.91 ₽

  • 500

    3.894766 ₽

    1,947.39 ₽

  • 1000

    3.674313 ₽

    3,674.31 ₽

Цена за единицу: 4.638736 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
TRANS PNP 50V 0.15A UMT3F
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-85
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
85
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
-
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2010
2009
Код JESD-609
e2
-
-
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
-
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-
-50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
-150mA
-
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
10
Основной номер части
*MT1
2SA1576
2SA1576
Число контактов
6
-
3
Выводной напряжение
50V
-
-
Направленность
PNP
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
140MHz
140MHz
140MHz
Тип транзистора
2 PNP (Dual)
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
500mV
500mV
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
180 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
140MHz
100MHz
-
Частота перехода
140MHz
-
140MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-60V
-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
-6V
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-150mA
-150mA
-150mA
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
-
0.5 V
Высота
900μm
1mm
-
Длина
2mm
2.1mm
-
Ширина
1.25mm
1.35mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Полярность/Тип канала
-
PNP
PNP
Покрытие контактов
-
-
Copper, Silver, Tin
Положение терминала
-
-
DUAL
Мощность - Макс
-
-
200mW