UMT1NTN Альтернативные части: 2SA1576AT106R ,2SA1774TLQ

UMT1NTNROHM Semiconductor

  • UMT1NTNROHM Semiconductor
  • 2SA1576AT106RROHM Semiconductor
  • 2SA1774TLQROHM Semiconductor

В наличии: 72251

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.638736 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.376168 ₽

    43.82 ₽

  • 100

    4.128462 ₽

    412.91 ₽

  • 500

    3.894766 ₽

    1,947.39 ₽

  • 1000

    3.674313 ₽

    3,674.31 ₽

Цена за единицу: 4.638736 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
Количество контактов
6
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2009
2006
Код JESD-609
e2
-
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
-150mA
-150mA
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
-
Основной номер части
*MT1
2SA1576
2SA1774
Число контактов
6
3
3
Выводной напряжение
50V
-
-
Направленность
PNP
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
140MHz
140MHz
140MHz
Тип транзистора
2 PNP (Dual)
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
500mV
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
180 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
140MHz
-
140MHz
Частота перехода
140MHz
140MHz
140MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
-6V
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-150mA
-150mA
-150mA
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
0.5 V
0.5 V
Высота
900μm
-
700μm
Длина
2mm
-
1.6mm
Ширина
1.25mm
-
800μm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
Copper, Silver, Tin
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Мощность - Макс
-
200mW
-
Полярность/Тип канала
-
PNP
PNP