Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMH3NTN Альтернативные части: UMD2NTR ,DCX114EU-7-F
UMH3NTNROHM Semiconductor
В наличии: 13043
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.016758 ₽
6.04 ₽
10
5.676181 ₽
56.73 ₽
100
5.354890 ₽
535.44 ₽
500
5.051786 ₽
2,525.82 ₽
1000
4.765838 ₽
4,765.80 ₽
Цена за единицу: 6.016758 ₽
Итоговая цена: 6.04 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 56 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2008 | 2012 |
Код JESD-609 | e2 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | DIGITAL | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 30mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 | 40 |
Основной номер части | *MH3 | *MD2 | DCX114 |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA | - |
Входной напряжение питания | 50V | 50V | - |
Направленность | NPN | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V | 56 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - | 5V |
База (R1) | 4.7k Ω | 22k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 30mA | 100mA |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin | Tin |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA | 500nA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 22k Ω | 10k Ω |
Вес | - | - | 6.010099mg |
Каналов количество | - | - | 2 |
Высота | - | - | 1mm |
Длина | - | - | 2.2mm |
Ширина | - | - | 1.35mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Для сравнения |
 | UMH2NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| UMD6NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |